MPQ5136 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MPQ5136 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.22 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO116
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для MPQ5136
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MPQ5136 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: MPQ5128, MPQ5129, MPQ5130, MPQ5131, MPQ5132, MPQ5133, MPQ5134, MPQ5135, 2SC5200, MPQ5137, MPQ5138, MPQ5139, MPQ5140, MPQ5141, MPQ5142, MPQ5143, MPQ5172
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor
