MPQ5550 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPQ5550  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO116

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MPQ5550

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MPQ5550 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: MPQ5172, MPQ5179, MPQ5400, MPQ5400R, MPQ5401, MPQ5401R, MPQ5447, MPQ5449, TIP122, MPQ5550R, MPQ5551, MPQ5551R, MPQ5816, MPQ5855, MPQ5856, MPQ5857, MPQ5858