Биполярный транзистор MPS3691 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MPS3691
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO92
MPS3691 Datasheet (PDF)
mps3646r.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPS3646/DSwitching TransistorMPS3646NPN SiliconMotorola Preferred DeviceCOLLECTOR32BASE11EMITTER23MAXIMUM RATINGSCASE 2904, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 15 VdcCollectorEmitter Voltage VCES 40 VdcCollectorBase Voltage VCBO 40 Vdc
mps3638r.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPS3638/DSwitching TransistorsPNP Silicon MPS3638,ACOLLECTOR32BASE1EMITTER 123MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit CASE 2904, STYLE 1TO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 25 VdcCollectorEmitter Voltage VCES 25 VdcCollectorBase Voltage VCBO 25 VdcEmitterBase Vo
mps3640r.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPS3640/DSwitching TransistorPNP SiliconMPS3640COLLECTOR32BASE1EMITTERMAXIMUM RATINGS12Rating Symbol Value Unit3CollectorEmitter Voltage VCEO 12 VdcCASE 2904, STYLE 1CollectorBase Voltage VCBO 12 VdcTO92 (TO226AA)EmitterBase Voltage VEBO 4.0 VdcCollector Current
mps3638arev0.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPS3638A/DSwitching TransistorPNP Silicon MPS3638ACOLLECTOR32BASE1EMITTERMAXIMUM RATINGS12Rating Symbol Value Unit3CollectorEmitter Voltage VCEO 25 VdcCASE 2904, STYLE 1CollectorEmitter Voltage VCES 25 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 25 VdcEmitterBase V
mps3638a.pdf
ON SemiconductortMPS3638ASwitching TransistorPNP Siliconw This device is available in Pb-free package(s). Specifications hereinapply to both standard and Pb-free devices. Please see our website atwww.onsemi.com for specific Pb-free orderable part numbers, orcontact your local ON Semiconductor sales office or representative.MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollector-Emi
mps3646-d.pdf
ON SemiconductortSwitching TransistorMPS3646NPN SiliconON Semiconductor Preferred Devicew This device is available in Pb-free package(s). Specifications hereinapply to both standard and Pb-free devices. Please see our website atwww.onsemi.com for specific Pb-free orderable part numbers, orcontact your local ON Semiconductor sales office or representative.MAXIMUM RATINGSRatin
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050