Биполярный транзистор MPS4124 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MPS4124
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO92
MPS4124 Datasheet (PDF)
mps4124rev0.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPS4124/DAmplifier TransistorNPN SiliconMPS4124COLLECTOR32BASE1EMITTER 123MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit CASE 2904, STYLE 1TO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCE 25 VdcCollectorBase Voltage VCB 30 VdcEmitterBase Voltage VEB 5.0 VdcCollector Current Continuous IC
mps4124-d.pdf
MPS4124Amplifier TransistorNPN SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.comCOLLECTORMAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCE 25 Vdc2BASECollector-Base Voltage VCB 30 VdcEmitter-Base Voltage VEB 5.0 Vdc1EMITTERCollector Current - Continuous IC 200 mAdcTotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 625 WDerate abo
mps4123r.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPS4123/DAmplifier TransistorsMPS4123NPN SiliconMPS4124COLLECTOR32BASE1EMITTER 123MAXIMUM RATINGSRating Symbol MPS4123 MPS4124 Unit CASE 2904, STYLE 1TO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCE 30 25 VdcCollectorBase Voltage VCB 40 30 VdcEmitterBase Voltage VEB 5.0 VdcCollector
mps4125r.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPS4125/DAmplifier TransistorsMPS4125PNP SiliconMPS4126COLLECTOR32BASE1EMITTER12MAXIMUM RATINGS3Rating Symbol MPS4125 MPS4126 UnitCASE 2904, STYLE 1CollectorEmitter Voltage VCE 30 25 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCB 10 25 VdcEmitterBase Voltage VEB 4
mps4126rev0.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPS4126/DAmplifier TransistorPNP SiliconMPS4126COLLECTOR32BASE1EMITTER123CASE 2904, STYLE 1TO92 (TO226AA)MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCE 25 VdcCollectorBase Voltage VCB 25 VdcEmitterBase Voltage VEB 4.0 VdcCollector Current Co
mps4126-d.pdf
MPS4126Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures This is a Pb-Free Device*http://onsemi.comCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCE -25 Vdc1Collector-Base Voltage VCB -25 VdcEMITTEREmitter-Base Voltage VEB -4.0 VdcCollector Current - Continuous IC -200 mAdcTotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 625 WDerate above
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050