Биполярный транзистор MPS5129 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MPS5129
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: TO92
MPS5129 Datasheet (PDF)
mps5179r.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPS5179/DHigh Frequency TransistorNPN SiliconMPS5179Motorola Preferred DeviceCOLLECTOR32BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol Value UnitCASE 2904, STYLE 1CollectorEmitter Voltage VCEO 12 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 20 VdcEmitterBase Voltage VEBO 2.5 Vdc
pn5179 mps5179 mmbt5179.pdf
MPS5179 MMBT5179 PN5179CEC TO-92 C TO-92B B ESOT-23E BMark: 3CNPN RF TransistorThis device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifierswith collector currents in the 100 A to 30 mA range in commonemitter or common base mode of operation, and in low frequencydrift, high ouput UHF oscillators. Sourced from Process 40.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless o
2n5172 2n6076 mps5172 mps6076.pdf
TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
mps5179.pdf
NPN SILICON PLANARMPS5179HIGH FREQUENCY TRANSISTORI T I I T IT I I TI D T T T ID D I T T TI I I E-Line T T TO92 Compatible I T T I T I ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i i T T T i I iI I ed, applieds orpply ofMPS5179ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless ot
mps5179-d.pdf
MPS5179Preferred DeviceHigh Frequency TransistorNPN SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.comCOLLECTORMAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitCollector -Emitter Voltage VCEO 12 Vdc2BASECollector -Base Voltage VCBO 20 VdcEmitter -Base Voltage VEBO 2.5 Vdc1Collector Current - Continuous IC 50 mAdcEMITTERTotal Device Dissipation @ TA
mps5172.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR AMPLIFIER TRANSISTOR MPS5172TO-92Plastic PackageCBEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 25 VVCBOCollector Base Voltage 25 VVEBOEmitter Base Voltage 5 VICCollector Current
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050