MPS536 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPS536  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MPS536

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MPS536 даташит

 9.1. Size:30K  central
 mps5308.pdf pdf_icon

MPS536

Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) TYPE NO. DESCRIPTION LEAD VCBO VCEO VEBO ICBO @ VCB hFE @ VCE @ IC VCE (SAT) @ IC Cob fT NF toff CODE (nA) (V) (V) (V) *ICES (V) *hFE (V) (mA) (V) (mA) (pF) (MHz) (dB) *VCES *ICEV (1kHZ) *Crb *TYP MIN MIN MAX MAX MIN MAX MAX MIN MAX MAX MPS3710 NPN LOW NOISE EBC 30 30 6.0 100 20 90 330 5.0 1.0 1.0 10 - - - - - - - - MPS3711 NPN LOW NOISE E

 9.2. Size:30K  central
 mps5306.pdf pdf_icon

MPS536

Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) TYPE NO. DESCRIPTION LEAD VCBO VCEO VEBO ICBO @ VCB hFE @ VCE @ IC VCE (SAT) @ IC Cob fT NF toff CODE (nA) (V) (V) (V) *ICES (V) *hFE (V) (mA) (V) (mA) (pF) (MHz) (dB) *VCES *ICEV (1kHZ) *Crb *TYP MIN MIN MAX MAX MIN MAX MAX MIN MAX MAX MPS3710 NPN LOW NOISE EBC 30 30 6.0 100 20 90 330 5.0 1.0 1.0 10 - - - - - - - - MPS3711 NPN LOW NOISE E

Другие транзисторы: MPS5138, MPS5139, MPS5140, MPS5141, MPS5142, MPS5143, MPS5172, MPS5179, C945, MPS5400, MPS5400R, MPS5401, MPS5401R, MPS5447, MPS5449, MPS5550, MPS5550R