MPS6520 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MPS6520 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: TO92
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для MPS6520
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MPS6520 даташит
mps6520r.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MPS6520/D COLLECTOR 3 Amplifier Transistors NPN 2 MPS6520 BASE * MPS6521 1 EMITTER PNP MPS6523 COLLECTOR 3 Voltage and current are negative 2 for PNP transistors BASE *Motorola Preferred Device 1 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol NPN PNP Unit Collector Emitter Voltage VCEO Vdc MPS6520, MPS6521 25
mps6520-mps6521.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824
Другие транзисторы: MPS6512, MPS6513, MPS6514, MPS6515, MPS6516, MPS6517, MPS6518, MPS6519, MJE340, MPS6521, MPS6522, MPS6523, MPS6530, MPS6531, MPS6532, MPS6533, MPS6533M
History: TIS05 | 2SC5624
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018



