Биполярный транзистор MPS6652 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MPS6652
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO92
MPS6652 Datasheet (PDF)
mps6601 mps6651 mps6652.pdf
NPN - MPS6601; PNP -MPS6651, MPS6652MPS6652 is a Preferred DeviceAmplifier TransistorsFeatures Voltage and Current are Negative for PNP Transistorshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR COLLECTOR3 3MAXIMUM RATINGS2 2BASE BASERating Symbol Value UnitNPN PNPCollector-Emitter Voltage VCEO VdcMPS6601/6651 251 1MPS6652 40EMITTER EMITTER
mps6601-mps6602-mps6651-mps6652.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
mps6651.pdf
SI I O A A S66 DI O T A SISTO ISS O TO A SO T A I ATI S T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I V I II I V V I II I V V II i V V I I i V I i V V I V V T V I i I V V T i I V V I V V T i i I V V
mps6601r.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPS6601/DAmplifier TransistorsNPNCOLLECTOR COLLECTOR MPS66013 3*MPS66022 2PNPBASE BASENPN PNP MPS66511 1*MPS6652EMITTER EMITTERVoltage and current are negativeMAXIMUM RATINGS for PNP transistorsRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO Vdc*Motorola Preferred DeviceMPS6601/665
mps6601.pdf
SI I O A A S660 DI O T A SISTO ISS O TO A SO T A I ATI S T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I V I II I V V I II I V V II i V V I I i V I i V V I V V T V I i I V V T i I V V I V V T i i I V V
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2N2253 | MMBT2222ALP4
History: 2N2253 | MMBT2222ALP4
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050