Биполярный транзистор MPS6733 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MPS6733
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO92
MPS6733 Datasheet (PDF)
mps6717rev0d.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPS6717/DOne Watt Amplifier TransistorNPN SiliconMPS6717COLLECTOR32BASE1EMITTERMAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value Unit23CollectorEmitter Voltage VCEO 80 VdcCASE 2905, STYLE 1CollectorBase Voltage VCBO 80 VdcTO92 (TO226AE)EmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current
mps6724r.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPS6724/DOne Watt Darlington TransistorsNPN Silicon MPS6724COLLECTOR 3MPS6725BASE2EMITTER 1MAXIMUM RATINGSRating Symbol MPS6724 MPS6725 UnitCollectorEmitter Voltage VCES 40 50 Vdc 123CollectorBase Voltage VCBO 50 60 VdcEmitterBase Voltage VEBO 12 VdcCASE 2905, STYLE 1TO92 (TO226AE)
mps6714rev0d.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPS6714/DOne Watt Amplifier TransistorsNPN Silicon MPS6714COLLECTOR3MPS67152BASE1EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO Vdc 12MPS6714 303MPS6715 40CASE 2905, STYLE 1CollectorBase Voltage VCBO VdcTO92 (TO226AE)MPS6714 40MPS6715 50Emitter
mps6726rev0d.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPS6726/DOne Watt Amplifier TransistorPNP Silicon MPS6726COLLECTOR3MPS67272BASE1EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO Vdc 12MPS6726 303MPS6727 40CASE 2905, STYLE 1CollectorBase Voltage VCBO VdcTO92 (TO226AE)MPS6726 40MPS6727 5
mps6729-d.pdf
MPS6729Preferred Device One Watt AmplifierTransistorPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Package is Available*COLLECTOR3MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitBASECollector -Emitter Voltage VCEO -80 Vdc1Collector -Base Voltage VCBO -80 VdcEMITTEREmitter -Base Voltage VEBO -4.0 VdcCollector Current - Continuous IC -500 mAdcTotal Device Dissipat
mps6726.pdf
MPS6726One Watt AmplifierTransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures This is a Pb-Free Device*COLLECTOR3MAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO -30 Vdc1Collector-Base Voltage VCBO -40 VdcEMITTEREmitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current - Continuous IC -1.0 AdcTotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 1.0 W
mps6717-d.pdf
MPS6717One Watt AmplifierTransistorNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR3MAXIMUM RATINGS 2BASERating Symbol Value UnitCollector -Emitter Voltage VCEO 80 Vdc1Collector -Base Voltage VCBO 80 VdcEMITTEREmitter -Base Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current - Continuous IC 500 mAdcTotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 1.
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050