MPS835. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPS835

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для MPS835

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MPS835 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: MPS753, MPS8000, MPS8001, MPS8093, MPS8097, MPS8098, MPS8099, MPS834, TIP3055, MPS8598, MPS8599, MPS901, MPS911, MPS918, MPS918R, MPS929, MPS929A