Справочник транзисторов. MPSA09

 

Биполярный транзистор MPSA09 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MPSA09
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MPSA09 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:239K  motorola
mpsa05-06 mpsa55-56 mpsa05 mpsa55 mpsa06 mpsa56.pdfpdf_icon

MPSA09

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSA05/DAmplifier TransistorsNPNCOLLECTOR COLLECTOR MPSA053 3MPSA06*2 2PNPBASE BASENPN PNP MPSA551 1*MPSA56EMITTER EMITTERVoltage and current are negativeMAXIMUM RATINGS for PNP transistorsMPSA05 MPSA06MPSA55 MPSA56Rating Symbol Unit*Motorola Preferred DeviceCollectorEmitter Voltage VC

 9.2. Size:50K  philips
mpsa06.pdfpdf_icon

MPSA09

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186MPSA06NPN general purpose transistorProduct specification 2004 Oct 11Supersedes data of 1999 Apr 27Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor MPSA06FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 collector2 baseAPPLICATIONS3 emitter

 9.3. Size:47K  philips
mpsa06 4.pdfpdf_icon

MPSA09

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186MPSA06NPN general purpose transistor1999 Apr 27Product specificationSupersedes data of 1998 Jul 21Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor MPSA06FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 collector2 baseAPPLICATIONS3 emitter

 9.4. Size:50K  fairchild semi
mpsa05 mmbta05.pdfpdf_icon

MPSA09

MPSA05/MMBTA05NPN General Purpose Amplifier3 This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. Sourced from process 10.2SOT-23TO-92 1Mark: 1H11. Emitter 2. Base 3. Collector 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter V

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N1614 | 9018M | STD01P | BUX77ASMD | TBC857 | GSTU10040

 

 
Back to Top

 


 
.