Биполярный транзистор MPSW13 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MPSW13
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000
Корпус транзистора: TO92
MPSW13 Datasheet (PDF)
mpsw13 mpsw14.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSW13/DOne Watt Darlington TransistorsMPSW13NPN SiliconMPSW14COLLECTOR 3BASE2EMITTER 1MAXIMUM RATINGS123Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCES 30 VdcCASE 2905, STYLE 1CollectorBase Voltage VCBO 30 VdcTO92 (TO226AE)EmitterBase Voltage VEBO 10 VdcCollector Curren
mpsw13 mpsw14.pdf
ON SemiconductortMPSW13One Watt DarlingtonMPSW14TransistorsNPN SiliconMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCES 30 VdcCollectorBase Voltage VCBO 30 VdcEmitterBase Voltage VEBO 10 Vdc1Collector Current Continuous IC 1.0 Adc23Total Device Dissipation @ TA = 25C PD 1.0 WattsDerate above 25C 8.0 mW/CCASE 2910, STYLE
mpsw10.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSW10/DOne Watt High Voltage TransistorNPN SiliconMPSW10COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2905, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AE)CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcCollectorBase Voltage VCBO 300 VdcEmitterBase Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current
mpsw10re.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSW10/DOne Watt High Voltage TransistorNPN SiliconMPSW10COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2905, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AE)CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcCollectorBase Voltage VCBO 300 VdcEmitterBase Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050