MPSW14. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPSW14

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20000

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для MPSW14

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MPSW14 даташит

 ..1. Size:113K  motorola
mpsw13 mpsw14.pdfpdf_icon

MPSW14

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MPSW13/D One Watt Darlington Transistors MPSW13 NPN Silicon MPSW14 COLLECTOR 3 BASE 2 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 1 2 3 Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCES 30 Vdc CASE 29 05, STYLE 1 Collector Base Voltage VCBO 30 Vdc TO 92 (TO 226AE) Emitter Base Voltage VEBO 10 Vdc Collector Curren

 ..2. Size:68K  onsemi
mpsw13 mpsw14.pdfpdf_icon

MPSW14

ON Semiconductort MPSW13 One Watt Darlington MPSW14 Transistors NPN Silicon MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCES 30 Vdc Collector Base Voltage VCBO 30 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 10 Vdc 1 Collector Current Continuous IC 1.0 Adc 2 3 Total Device Dissipation @ TA = 25 C PD 1.0 Watts Derate above 25 C 8.0 mW/ C CASE 29 10, STYLE

 9.1. Size:158K  motorola
mpsw10.pdfpdf_icon

MPSW14

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MPSW10/D One Watt High Voltage Transistor NPN Silicon MPSW10 COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER 1 2 3 MAXIMUM RATINGS CASE 29 05, STYLE 1 Rating Symbol Value Unit TO 92 (TO 226AE) Collector Emitter Voltage VCEO 300 Vdc Collector Base Voltage VCBO 300 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 6.0 Vdc Collector Current

 9.2. Size:154K  motorola
mpsw10re.pdfpdf_icon

MPSW14

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MPSW10/D One Watt High Voltage Transistor NPN Silicon MPSW10 COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER 1 2 3 MAXIMUM RATINGS CASE 29 05, STYLE 1 Rating Symbol Value Unit TO 92 (TO 226AE) Collector Emitter Voltage VCEO 300 Vdc Collector Base Voltage VCBO 300 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 6.0 Vdc Collector Current

Другие транзисторы: MPSU95, MPSW01, MPSW01A, MPSW05, MPSW06, MPSW07, MPSW10, MPSW13, 2SC2073, MPSW42, MPSW43, MPSW45, MPSW45A, MPSW51, MPSW51A, MPSW55, MPSW56