MPSW56. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MPSW56
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для MPSW56
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MPSW56 даташит
mpsw55 mpsw56.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MPSW55/D One Watt Amplifier Transistors MPSW55 PNP Silicon * MPSW56 COLLECTOR *Motorola Preferred Device 3 2 BASE 1 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 3 Rating Symbol MPSW55 MPSW56 Unit CASE 29 05, STYLE 1 Collector Emitter Voltage VCEO 60 80 Vdc TO 92 (TO 226AE) Collector Base Voltage VCBO 60 80
mpsw56.pdf
MPSW56 TO-226 C B E PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 800 mA. Sourced from Process 79. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Collector-Base Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 4.0
mpsw55 mpsw56.pdf
MPSW55, MPSW56 One Watt Amplifier Transistors PNP Silicon http //onsemi.com Features Pb-Free Packages are Available* COLLECTOR 3 2 MAXIMUM RATINGS BASE Rating Symbol Value Unit 1 EMITTER Collector-Emitter Voltage MPSW55 VCEO -60 Vdc MPSW56 -80 Collector-Base Voltage MPSW55 VCBO -60 Vdc MPSW56 -80 Emitter-Base Voltage VEBO -4.0 Vdc Collector Current - Continuous IC -500 m
mpsw51re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MPSW51/D One Watt High Current Transistors PNP Silicon MPSW51 COLLECTOR 3 MPSW51A* *Motorola Preferred Device 2 BASE 1 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage MPSW51 VCEO 30 Vdc 1 2 MPSW51A 40 3 Collector Base Voltage MPSW51 VCBO 40 Vdc CASE 29 05, STYLE 1 MPSW51A
Другие транзисторы: MPSW14, MPSW42, MPSW43, MPSW45, MPSW45A, MPSW51, MPSW51A, MPSW55, BD335, MPSW57, MPSW60, MPSW63, MPSW64, MPSW92, MPSW93, MQ1613, MQ1613A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627