Справочник транзисторов. MPSW56

 

Биполярный транзистор MPSW56 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MPSW56
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MPSW56 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  motorola
 mpsw55 mpsw56.pdf pdf_icon

MPSW56

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSW55/DOne Watt Amplifier TransistorsMPSW55PNP Silicon*MPSW56COLLECTOR*Motorola Preferred Device32BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol MPSW55 MPSW56 UnitCASE 2905, STYLE 1CollectorEmitter Voltage VCEO 60 80 VdcTO92 (TO226AE)CollectorBase Voltage VCBO 60 80

 ..2. Size:44K  fairchild semi
 mpsw56.pdf pdf_icon

MPSW56

MPSW56TO-226CBEPNP General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose medium poweramplifiers and switches requiring collector currents to 800 mA.Sourced from Process 79.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 80 VVCBO Collector-Base Voltage 80 VVEBO Emitter-Base Voltage 4.0

 ..3. Size:97K  onsemi
 mpsw55 mpsw56.pdf pdf_icon

MPSW56

MPSW55, MPSW56One Watt AmplifierTransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR32MAXIMUM RATINGSBASERating Symbol Value Unit1EMITTERCollector-Emitter Voltage MPSW55 VCEO -60 VdcMPSW56 -80Collector-Base Voltage MPSW55 VCBO -60 VdcMPSW56 -80Emitter-Base Voltage VEBO -4.0 VdcCollector Current - Continuous IC -500 m

 9.1. Size:123K  motorola
 mpsw51re.pdf pdf_icon

MPSW56

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSW51/DOne Watt High Current TransistorsPNP Silicon MPSW51COLLECTOR3MPSW51A**Motorola Preferred Device2BASE1EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage MPSW51 VCEO 30 Vdc 12MPSW51A 403CollectorBase Voltage MPSW51 VCBO 40 VdcCASE 2905, STYLE 1MPSW51A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: TI413 | FSB660 | TTA005 | DC5441 | GS9016F | 2SC3332V | K2109

 

 
Back to Top

 


 
.