2N1120. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1120

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 95 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.075 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N1120

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1120 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N1115A, 2N1116, 2N1117, 2N1118, 2N1118A, 2N1119, 2N111A, 2N112, BC557, 2N1121, 2N1122, 2N1122A, 2N1123, 2N1124, 2N1125, 2N1126, 2N1127