MQ5130 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MQ5130

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO86

 Аналоги (замена) для MQ5130

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MQ5130 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: MQ3905, MQ3905R, MQ3906, MQ3906R, MQ3962, MQ5127, MQ5128, MQ5129, 13009, MQ5131, MQ5132, MQ5133, MQ5134, MQ5135, MQ5136, MQ5137, MQ5138