Биполярный транзистор MRF222 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MRF222
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: M174
Аналог (замена) для MRF222
MRF222 Datasheet (PDF)
mrf224.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF224/DThe RF LineNPN SiliconMRF224RF Power Transistor. . . designed for 12.5 Volt VHF largesignal power amplifier applicationsrequired in commercial and industrial equipment operating to VHF frequencies. Specified 12.5 Volt, 175 MHz Characteristics Output Power = 40 W40 W, 175 MHzPower Gain = 4.5 dB M
mrf224re.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF224/DThe RF LineNPN SiliconMRF224RF Power Transistor. . . designed for 12.5 Volt VHF largesignal power amplifier applicationsrequired in commercial and industrial equipment operating to VHF frequencies. Specified 12.5 Volt, 175 MHz Characteristics Output Power = 40 W40 W, 175 MHzPower Gain = 4.5 dB M
Другие транзисторы... MRF2010B , MRF207 , MRF208 , MRF209 , MRF212 , MRF215 , MRF216 , MRF221 , D882P , MRF223 , MRF224 , MRF225 , MRF226 , MRF227 , MRF229 , MRF230 , MRF231 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933