Справочник транзисторов. MRF232

 

Биполярный транзистор MRF232 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF232
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: X28
 

 Аналог (замена) для MRF232

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF232 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:241K  hgsemi
 mrf235.pdf pdf_icon

MRF232

HG RF POWER TRANSISTORMRF235SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORNPN Silicon RF power transistor MRF235Description: MRF235 is designed for 12.5V, mid-band large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operation in the 40-100MHz range. Mid band FM transistors. Features: Specified 12.5V, 90MHz characteristics Output Powe

Другие транзисторы... MRF223 , MRF224 , MRF225 , MRF226 , MRF227 , MRF229 , MRF230 , MRF231 , 13001-A , MRF233 , MRF234 , MRF237 , MRF238 , MRF243 , MRF244 , MRF245 , MRF304 .

History: NB213Z | 2SA2028 | FJNS4202R | 2SC1756 | BCW79-25 | 2SD545 | KRA551U

 

 
Back to Top

 


 
.