MRF243 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MRF243
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: M174
Аналоги (замена) для MRF243
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MRF243 даташит
mrf240.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF240/D The RF Line NPN Silicon MRF240 RF Power Transistors . . . designed for 13.6 volt VHF large signal class C and class AB linear power amplifier applications in commercial and industrial equipment. High Common Emitter Power Gain Specified 13.6 V, 160 MHz Performance 40 W, 145 175 MHz Output Power = 40 W
mrf247rev1.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF247/D The RF Line NPN Silicon MRF247 RF Power Transistor The MRF247 is designed for 12.5 Volt VHF large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 175 MHz. Specified 12.5 Volt, 175 MHz Characteristics Output Power = 75 Watts 75 W, 175 MHz Power Gain = 7.0 dB Min CONT
mrf247re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF247/D The RF Line NPN Silicon MRF247 RF Power Transistor . . . designed for 12.5 Volt VHF large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 175 MHz. Specified 12.5 Volt, 175 MHz Characteristics Output Power = 75 Watts 75 W, 175 MHz Power Gain = 7.0 dB Min CONTROLLED Q
mrf240re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF240/D The RF Line NPN Silicon MRF240 RF Power Transistors . . . designed for 13.6 volt VHF large signal class C and class AB linear power amplifier applications in commercial and industrial equipment. High Common Emitter Power Gain Specified 13.6 V, 160 MHz Performance 40 W, 145 175 MHz Output Power = 40 W
Другие транзисторы: MRF229, MRF230, MRF231, MRF232, MRF233, MRF234, MRF237, MRF238, MJE350, MRF244, MRF245, MRF304, MRF305, MRF306, MRF309, MRF313, MRF314
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125







