MRF305 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MRF305
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO128
Аналоги (замена) для MRF305
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MRF305 даташит
mrf3094r.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF3094/D The RF Line MRF3094 Microwave Linear MRF3095 Power Transistors MRF3096 Designed for Class A, common emitter linear power amplifiers. Specified 20 Volt, 1.6 GHz Characteristics Output Power 0.5, 0.8, 1.6 Watts Gain 9.0 12 dB 9.0 12 dB 1.55 1.65 GHz Low Parasitic Microwave Stripline Packag
mrf3010.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF3010/D The RF MOSFET Line MRF3010 RF Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Lateral 10 W, 1.6 GHz, 28 V MOSFET LATERAL N CHANNEL BROADBAND Designed for IMARSAT satellite up link at 1.6 to 1.64 GHz, 28 volts, Class AB, RF POWER MOSFET CW amplifier applications. D Guaranteed Performance @
mrf3010rev1.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF3010/D The RF MOSFET Line MRF3010 RF Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Lateral 10 W, 1.6 GHz, 28 V MOSFET LATERAL N CHANNEL BROADBAND Designed for IMARSAT satellite up link at 1.6 to 1.64 GHz, 28 volts, Class AB, RF POWER MOSFET CW amplifier applications. D Guaranteed Performance @
mrf3094rev8.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF3094/D The RF Line Microwave Linear MRF3094 Power Transistors MRF3095 Designed for Class A, common emitter linear power amplifiers. Specified 20 Volt, 1.6 GHz Characteristics Output Power 0.5, 0.8, 1.6 Watts Gain 9.0 12 dB 9.0 12 dB 1.55 1.65 GHz Low Parasitic Microwave Stripline Package 0.5
Другие транзисторы: MRF233, MRF234, MRF237, MRF238, MRF243, MRF244, MRF245, MRF304, B647, MRF306, MRF309, MRF313, MRF314, MRF315, MRF316, MRF317, MRF321
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx






