MRF314 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF314

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 82 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: M174

 Аналоги (замена) для MRF314

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF314 даташит

 ..1. Size:113K  motorola
mrf314.pdfpdf_icon

MRF314

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF314/D The RF Line NPN Silicon MRF314 RF Power Transistors . . . designed primarily for wideband large signal driver and output amplifier stages in the 30 200 MHz frequency range. Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc Output Power = 30 Watts 30 W, 30 200 MHz Minimum Gain = 10 dB RF POWER 100% Tested

 ..2. Size:223K  macom
mrf314.pdfpdf_icon

MRF314

MRF314 The RF Line NPN Silicon Power Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 05202009 30W, 30-200MHz, 28V Designed primarily for wideband large signal driver and output Product Image amplifier stages in the 30 200 MHz frequency range. Guaranteed performance at 150 MHz, 28 Vdc Output power = 30 W Minimum gain = 10 dB 100% tested for load mismatch at all ph

 0.1. Size:113K  motorola
mrf314re.pdfpdf_icon

MRF314

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF314/D The RF Line NPN Silicon MRF314 RF Power Transistors . . . designed primarily for wideband large signal driver and output amplifier stages in the 30 200 MHz frequency range. Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc Output Power = 30 Watts 30 W, 30 200 MHz Minimum Gain = 10 dB RF POWER 100% Tested

 0.2. Size:243K  hgsemi
mrf314a.pdfpdf_icon

MRF314

HG RF POWER TRANSISTOR MRF314A Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .380 4L FLG The MRF314A is Designed for .112 x 45 B A FEATURES .125 NOM. FULL R J .125 Omnigold Metalization System C D E MAXIMUM RATINGS F I H G IC 9.0 A MINIMUM MAXIMUM VCBO 65 V DIM inches / mm inches / mm .220 / 5

Другие транзисторы: MRF243, MRF244, MRF245, MRF304, MRF305, MRF306, MRF309, MRF313, BDT88, MRF315, MRF316, MRF317, MRF321, MRF323, MRF325, MRF326, MRF327