MRF3866R2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF3866R2

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: SO8

 Аналоги (замена) для MRF3866R2

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF3866R2 даташит

 ..1. Size:59K  motorola
 mrf3866r2.pdf pdf_icon

MRF3866R2

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF3866/D The RF Line NPN Silicon MRF3866R2 High-Frequency Transistor Tape and reel packaging available for MRF3866R2 R2 suffix = 2,500 units per reel IC = 400 mA HIGH FREQUENCY TRANSISTORS MAXIMUM RATINGS NPN SILICON Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 30 Vdc Collector Base Voltage VCBO

 6.1. Size:59K  motorola
 mrf3866rev0.pdf pdf_icon

MRF3866R2

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF3866/D The RF Line NPN Silicon MRF3866R2 High-Frequency Transistor Tape and reel packaging available for MRF3866R2 R2 suffix = 2,500 units per reel IC = 400 mA HIGH FREQUENCY TRANSISTORS MAXIMUM RATINGS NPN SILICON Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 30 Vdc Collector Base Voltage VCBO

Другие транзисторы: MRF323, MRF325, MRF326, MRF327, MRF328, MRF331, MRF340, MRF342, BC548, MRF401, MRF402, MRF404, MRF406, MRF420, MRF421, MRF422, MRF426