Биполярный транзистор MRF3866R2 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MRF3866R2
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: SO8
Аналоги (замена) для MRF3866R2
MRF3866R2 Datasheet (PDF)
mrf3866r2.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF3866/DThe RF LineNPN SiliconMRF3866R2High-Frequency Transistor Tape and reel packaging available for MRF3866R2:R2 suffix = 2,500 units per reelIC = 400 mAHIGHFREQUENCYTRANSISTORSMAXIMUM RATINGSNPN SILICONRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 30 VdcCollectorBase Voltage VCBO
mrf3866rev0.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF3866/DThe RF LineNPN SiliconMRF3866R2High-Frequency Transistor Tape and reel packaging available for MRF3866R2:R2 suffix = 2,500 units per reelIC = 400 mAHIGHFREQUENCYTRANSISTORSMAXIMUM RATINGSNPN SILICONRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 30 VdcCollectorBase Voltage VCBO
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050