Справочник транзисторов. MRF421

 

Биполярный транзистор MRF421 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF421
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: M174
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MRF421 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  motorola
 mrf421.pdf pdf_icon

MRF421

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF421/DThe RF LineNPN SiliconMRF421RF Power TransistorDesigned primarily for application as a highpower linear amplifier from 2.0 to30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 100 W (PEP)100 W (PEP), 30 MHzMinimum Gain = 10 dBRF POWEREfficiency = 40%TRANSISTORS Intermo

 0.1. Size:102K  motorola
 mrf421rev1.pdf pdf_icon

MRF421

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF421/DThe RF LineNPN SiliconMRF421RF Power TransistorDesigned primarily for application as a highpower linear amplifier from 2.0 to30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 100 W (PEP)100 W (PEP), 30 MHzMinimum Gain = 10 dBRF POWEREfficiency = 40%TRANSISTORS Intermo

 0.2. Size:99K  motorola
 mrf421re.pdf pdf_icon

MRF421

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF421/DThe RF LineNPN SiliconMRF421RF Power TransistorDesigned primarily for application as a highpower linear amplifier from 2.0 to30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 100 W (PEP)100 W (PEP), 30 MHzMinimum Gain = 10 dBRF POWEREfficiency = 40%TRANSISTORS Intermo

 9.1. Size:97K  motorola
 mrf422.pdf pdf_icon

MRF421

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF422/DThe RF LineNPN SiliconMRF422RF Power TransistorDesigned primarily for applications as a highpower linear amplifier from 2.0to 30 MHz. Specified 28 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 150 W (PEP)150 W (PEP), 30 MHzMinimum Gain = 10 dBRF POWEREfficiency = 40%TRANSISTORS Intermod

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 3DD13007MD-C | 2SCR512PFRA | 2SC3613 | KTC9012SC | CPH3121 | MJ13331 | 3DD201

 

 
Back to Top

 


 
.