MRF452 datasheet, аналоги, параметры транзистора

MRF452 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF452

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: M174

Аналоги (замена) для MRF452

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

MRF452 даташит

9.1. Size:70K motorola
mrf454re.pdf pdf_icon

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF454/D The RF Line NPN Silicon MRF454 RF Power Transistor Designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 80 Watts 80 W, 30 MHz Minimum Gain = 12 dB RF POWER Efficiency = 50% TRANSISTOR NPN S

9.2. Size:75K motorola
mrf455re.pdf pdf_icon

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF455/D The RF Line NPN Silicon MRF455 RF Power Transistor . . . designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 60 Watts 60 W, 30 MHz Minimum Gain = 13 dB RF POWER Efficiency = 55% TRANSISTOR

9.3. Size:57K motorola
mrf454rev1.pdf pdf_icon