MRF455 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MRF455
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: M174
Аналоги (замена) для MRF455
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MRF455 даташит
mrf455.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF455/D The RF Line NPN Silicon MRF455 RF Power Transistor . . . designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 60 Watts 60 W, 30 MHz Minimum Gain = 13 dB RF POWER Efficiency = 55% TRANSISTOR
mrf455.pdf
MRF455 The RF Line NPN Silicon Power Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 05202009 60W, 30MHz, 12.5V Product Image Designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 V, 30 MHz characteristics Output power = 60 W Minimum gain = 13 dB Efficiency = 55% CASE 211 07, STYLE 1 1 ADVAN
mrf455re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF455/D The RF Line NPN Silicon MRF455 RF Power Transistor . . . designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 60 Watts 60 W, 30 MHz Minimum Gain = 13 dB RF POWER Efficiency = 55% TRANSISTOR
mrf454re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF454/D The RF Line NPN Silicon MRF454 RF Power Transistor Designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 80 Watts 80 W, 30 MHz Minimum Gain = 12 dB RF POWER Efficiency = 50% TRANSISTOR NPN S
Другие транзисторы: MRF432, MRF433, MRF4427, MRF449, MRF450, MRF452, MRF453, MRF454, 2SD718, MRF458, MRF460, MRF463, MRF464, MRF472, MRF475, MRF476, MRF485
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140









