MRF641 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF641

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для MRF641

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF641 даташит

 ..1. Size:103K  motorola
 mrf641.pdf pdf_icon

MRF641

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF641/D The RF Line NPN Silicon MRF641 RF Power Transistor . . . designed for 12.5 Volt UHF large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz. Specified 12.5 Volt, 470 MHz Characteristics Output Power = 15 Watts 15 W, 470 MHz Minimum Gain = 7.8 dB CONTROLLED Q

 0.1. Size:70K  motorola
 mrf6414pht.pdf pdf_icon

MRF641

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF6414PHT/D The RF Line MRF6414 NPN Silicon PHOTOMASTER RF Power Transistor CASE 333A 02, STYLE 2 C9 T2 +VCC R1 C8 P1 C5 D1 C6 C7 D2 C4 R2 RF OUTPUT RF INPUT C3 T1 50 W C1 C2 50 W C1, C3 100 pF, Chip Capacitor, Hight Q P1 1 k , Trimmer C2, C7 330 pF, Chip Capacitor, 0805 R1 1 k , Resistor C5, C8

 0.2. Size:70K  motorola
 mrf6414p.pdf pdf_icon

MRF641

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF6414PHT/D The RF Line MRF6414 NPN Silicon PHOTOMASTER RF Power Transistor CASE 333A 02, STYLE 2 C9 T2 +VCC R1 C8 P1 C5 D1 C6 C7 D2 C4 R2 RF OUTPUT RF INPUT C3 T1 50 W C1 C2 50 W C1, C3 100 pF, Chip Capacitor, Hight Q P1 1 k , Trimmer C2, C7 330 pF, Chip Capacitor, 0805 R1 1 k , Resistor C5, C8

 0.3. Size:108K  motorola
 mrf6414r.pdf pdf_icon

MRF641

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF6414/D The RF Line MRF6414 NPN Silicon RF Power Transistor The MRF6414 is designed for 26 volt UHF large signal, common emitter, class AB linear amplifier applications. 50 W, 960 MHz Specified 26 Volt, 960 MHz Characteristics RF POWER TRANSISTOR Output Power = 50 Watts NPN SILICON Minimum Gain = 8.5 dB @ 960 MHz, C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF603, MRF604, MRF607, MRF618, MRF619, MRF620, MRF621, MRF629, S9013, MRF644, MRF646, MRF648, MRF8003, MRF8004, MRF817, MRF818, MRF823