MRF823 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MRF823
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO128
Аналоги (замена) для MRF823
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MRF823 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: MRF641, MRF644, MRF646, MRF648, MRF8003, MRF8004, MRF817, MRF818, NJW0281G, MRF824, MRF825, MRF835, MRF840, MRF842, MRF844, MRF846, MRF901
History: MRF342
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147
