MRF842 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MRF842
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Корпус транзистора: SPECIAL
Аналоги (замена) для MRF842
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MRF842 даташит
mrf842.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF842/D The RF Line NPN Silicon MRF842 RF Power Transistor . . . designed for 12.5 volt UHF large signal, common base amplifier applica- tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of 806 960 MHz. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics 20 W, 870 MHz Output Power = 20 Watts RF P
mrf842re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF842/D The RF Line NPN Silicon MRF842 RF Power Transistor . . . designed for 12.5 volt UHF large signal, common base amplifier applica- tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of 806 960 MHz. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics 20 W, 870 MHz Output Power = 20 Watts RF P
mrf844.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF844/D The RF Line NPN Silicon MRF844 RF Power Transistor . . . designed for 12.5 volt UHF large signal, common base amplifier applica- tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of 806 960 MHz. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics 30 W, 870 MHz Output Power = 30 Watts RF P
mrf847.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF847/D The RF Line NPN Silicon MRF847 RF Power Transistor . . . designed for 12.5 volt UHF large signal, common base amplifier applica- tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of 806 960 MHz. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics 45 W, 870 MHz Output Power = 45 Watts RF P
Другие транзисторы: MRF8004, MRF817, MRF818, MRF823, MRF824, MRF825, MRF835, MRF840, 2SC2240, MRF844, MRF846, MRF901, MRF9011LT1, MRF901LT1, MRF902, MRF904, MRF905
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210








