Справочник транзисторов. MRF947BT3

 

Биполярный транзистор MRF947BT3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MRF947BT3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.188 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MRF947BT3

 

 

MRF947BT3 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:386K  motorola
mrf941 mmbr941lt1 mrf9411lt1 mrf947.pdf

MRF947BT3
MRF947BT3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR941LT1/DThe RF LineMMBR941NPN SiliconMRF941Low Noise, High-FrequencyMRF947TransistorsMRF9411Designed for use in high gain, low noise smallsignal amplifiers. This seriesfeatures excellent broadband linearity and is offered in a variety of packages.SERIES Fully Implanted Base and Emitter Structure

 9.1. Size:166K  motorola
mrf949t1rev0.pdf

MRF947BT3
MRF947BT3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF949T1/DThe RF LineMRF949T1NPN SiliconLow Noise TransistorsMotorolas MRF949 is a high performance NPN transistor designed for use inhigh gain, low noise smallsignal amplifiers. The MRF949 is well suited for low ICmax = 50 mAvoltage wireless applications. This device features a 9 GHz DC current LOW NOISEgain

 9.2. Size:166K  motorola
mrf949t1.pdf

MRF947BT3
MRF947BT3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF949T1/DThe RF LineMRF949T1NPN SiliconLow Noise TransistorsMotorolas MRF949 is a high performance NPN transistor designed for use inhigh gain, low noise smallsignal amplifiers. The MRF949 is well suited for low ICmax = 50 mAvoltage wireless applications. This device features a 9 GHz DC current LOW NOISEgain

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BLX21 | 2N4263

 

 
Back to Top