Справочник транзисторов. MRF9511LT1

 

Биполярный транзистор MRF9511LT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MRF9511LT1
   Маркировка: 11
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.322 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для MRF9511LT1

 

 

MRF9511LT1 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:330K  motorola
mmbr951 mrf951 mrf957 mrf9511.pdf

MRF9511LT1
MRF9511LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR951ALT1/DThe RF LineMMBR951NPN SiliconMRF951Low Noise, High-FrequencyMRF957TransistorsMRF9511Designed for use in high gain, low noise smallsignal amplifiers. This seriesSERIESfeatures excellent broadband linearity and is offered in a variety of packages. Fully Implanted Base and Emitter Structure

 9.1. Size:171K  motorola
mrf959t1rev0.pdf

MRF9511LT1
MRF9511LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF959T1/DThe RF LineMRF959T1NPN SiliconLow Noise TransistorsMotorolas MRF959 is a high performance silicon NPN transistor designed foruse in high gain, low noise smallsignal amplifiers. The MRF959 is well suited ICmax = 100 mAfor low voltage applications. This device features a 9 GHz DC current LOW NOISEgain

 9.2. Size:171K  motorola
mrf959t1.pdf

MRF9511LT1
MRF9511LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF959T1/DThe RF LineMRF959T1NPN SiliconLow Noise TransistorsMotorolas MRF959 is a high performance silicon NPN transistor designed foruse in high gain, low noise smallsignal amplifiers. The MRF959 is well suited ICmax = 100 mAfor low voltage applications. This device features a 9 GHz DC current LOW NOISEgain

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: MMBT5088L | KSA1174F

 

 
Back to Top