MRF957T1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF957T1

Маркировка: B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.227 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MRF957T1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF957T1 даташит

 8.1. Size:330K  motorola
 mmbr951 mrf951 mrf957 mrf9511.pdf pdf_icon

MRF957T1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR951ALT1/D The RF Line MMBR951 NPN Silicon MRF951 Low Noise, High-Frequency MRF957 Transistors MRF9511 Designed for use in high gain, low noise small signal amplifiers. This series SERIES features excellent broadband linearity and is offered in a variety of packages. Fully Implanted Base and Emitter Structure

 9.1. Size:171K  motorola
 mrf959t1rev0.pdf pdf_icon

MRF957T1

 9.2. Size:171K  motorola
 mrf959t1.pdf pdf_icon

MRF957T1

Другие транзисторы: MRF947AT3, MRF947BT1, MRF947BT3, MRF947RT3, MRF947T1, MRF947T3, MRF9511ALT1, MRF9511LT1, TIP41C, MRF962, MRF965, MSC80185, MSC80186, MSC80195, MSC80196, MSC80197, MSC82040