Справочник транзисторов. 2N4911SM

 

Биполярный транзистор 2N4911SM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N4911SM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для 2N4911SM

 

 

2N4911SM Datasheet (PDF)

 8.1. Size:10K  semelab
2n4911xsmd05.pdf

2N4911SM

2N4911XSMD05Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 7.54 (0.296)0.76 (0.030) Ceramic Surface Mount min.3.175 (0.125) 2.41 (0.095) Package for High 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005)Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 60V IC = 4A 0.127 (0.005)16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020)0.50 (0.020)All Semelab her

 8.2. Size:15K  semelab
2n4910x 2n4911x 2n4912x.pdf

2N4911SM
2N4911SM

2N4910X2N4911X2N4912XMECHANICAL DATANPN EPITAXIALDimensions in mm (inches)POWER TRANSISTOR IN TO66 HERMETIC PACKAGE6.35 (0.250)8.64 (0.340)3.68(0.145) rad.3.61 (0.142)max.3.86 (0.145)rad.APPLICATIONS SCREENING OPTIONS AVAILABE1 2 TO66 PACKAGE1.27 (0.050)1.91 (0.750)4.83 (0.190)5.33 (0.210)9.14 (0.360)min.TO66 Metal Package.PIN 1 =

 8.3. Size:10K  semelab
2n4911xsmd.pdf

2N4911SM

2N4911XSMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 60V IC = 4A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26 (

 8.4. Size:53K  inchange semiconductor
2n4911.pdf

2N4911SM
2N4911SM

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N4911 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 60V(Min) Low Collector Saturatioin Voltage- : VCE(sat)= 0.6V(Max.)@ IC= 1A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for driver circuits, switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=

Другие транзисторы... 2N4905 , 2N4906 , 2N4907 , 2N4908 , 2N4909 , 2N4910 , 2N4910SM , 2N4911 , 9012 , 2N4912 , 2N4912SM , 2N4912X , 2N4913 , 2N4914 , 2N4915 , 2N4916 , 2N4917 .

 

 
Back to Top