2N4911SM - описание и поиск аналогов

 

2N4911SM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N4911SM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для 2N4911SM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4911SM даташит

 8.1. Size:10K  semelab
2n4911xsmd05.pdfpdf_icon

2N4911SM

2N4911XSMD05 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 7.54 (0.296) 0.76 (0.030) Ceramic Surface Mount min. 3.175 (0.125) 2.41 (0.095) Package for High 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005) Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 60V IC = 4A 0.127 (0.005) 16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) 0.50 (0.020) All Semelab her

 8.2. Size:15K  semelab
2n4910x 2n4911x 2n4912x.pdfpdf_icon

2N4911SM

2N4910X 2N4911X 2N4912X MECHANICAL DATA NPN EPITAXIAL Dimensions in mm (inches) POWER TRANSISTOR IN TO66 HERMETIC PACKAGE 6.35 (0.250) 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 3.86 (0.145) rad. APPLICATIONS SCREENING OPTIONS AVAILABE 1 2 TO66 PACKAGE 1.27 (0.050) 1.91 (0.750) 4.83 (0.190) 5.33 (0.210) 9.14 (0.360) min. TO 66 Metal Package. PIN 1 =

 8.3. Size:10K  semelab
2n4911xsmd.pdfpdf_icon

2N4911SM

2N4911XSMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 60V IC = 4A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (

 8.4. Size:53K  inchange semiconductor
2n4911.pdfpdf_icon

2N4911SM

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N4911 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 60V(Min) Low Collector Saturatioin Voltage- VCE(sat)= 0.6V(Max.)@ IC= 1A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for driver circuits, switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=

Другие транзисторы: 2N4905, 2N4906, 2N4907, 2N4908, 2N4909, 2N4910, 2N4910SM, 2N4911, S9018, 2N4912, 2N4912SM, 2N4912X, 2N4913, 2N4914, 2N4915, 2N4916, 2N4917

 

 

 

 

↑ Back to Top
.