Биполярный транзистор 2N4969 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N4969
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO106
2N4969 Datasheet (PDF)
9.1. Size:82K central
2n4960 2n4961 2n4962 2n4963.pdf
2n4960 2n4961 2n4962 2n4963.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
Другие транзисторы... 2N496-18 , 2N4962 , 2N4963 , 2N4964 , 2N4965 , 2N4966 , 2N4967 , 2N4968 , 2SC945 , 2N497 , 2N4970 , 2N4971 , 2N4972 , 2N4973 , 2N4974 , 2N4975 , 2N4976 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050