Биполярный транзистор 2N4981 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N4981
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO46
2N4981 Datasheet (PDF)
2n4987.pdf
2N4987 Silicon unilateral switch (SUS) in package TO-92 0.45max 0.7max 1 5.2 2.5 2 14.5 1.6 5.2 3 4.2 Pinouts: 1- Cathode, 2- Gate, 3- Anode Ratings Symbol Parameter, units Limits Vrrm Peak reverse voltage, V -30 IT(rms) DC forward anode current, mA 175 Igm DC gate current, mA 5 IT(sm) Peak recurrent forward current, A, (1% duty cycle, 10sec pulse width)
2n4988.pdf
2N4988 Silicon unilateral switch (SUS) in package TO-92 0.45max 0.7max 1 5.2 2.5 2 14.5 1.6 5.2 3 4.2 Pinouts: 1- Cathode, 2- Gate, 3- Anode Ratings Symbol Parameter, units Limits Vrrm Peak reverse voltage, V -30 IT(rms) DC forward anode current, mA 175 Igm DC gate current, mA 5 IT(sm) Peak recurrent forward current, A, (1% duty cycle, 10sec pulse width)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050