Биполярный транзистор 2N499A Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2N499A
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.06 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO1
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2N499A Datasheet (PDF)
2n4991.pdf

2N4991 Silicon bilateral switch (SBS) in package TO-92 0.45max 0.7max 1 5.2 2.5 2 14.5 1.6 5.2 3 4.2 Pinouts: 1- Anode II, 2- Gate, 3- Anode I Ratings Symbol Parameter, units Limits IT(rms) DC forward anode current, mA 200 Igm DC gate current, mA 5 IT(sm) Peak recurrent forward current, A, (1% duty cycle, 10sec pulse width) 1 P Power dissipation, mW 300
2n4992.pdf

2N4992 Silicon bilateral switch (SBS) in package TO-92 0.45max0.7max15.2 2.5214.51.6 5.2 34.2Pinouts: 1- Anode II, 2- Gate, 3- Anode I Ratings Symbol Parameter, units Limits IT(rms) DC forward anode current, mA 200 Igm DC gate current, mA 5 IT(sm) Peak recurrent forward current, A, (1% duty cycle, 10sec pulse width) 1 P Power dissipation, mW 300 Electri
2n4993.pdf

2N4993 Silicon bilateral switch (SBS) in package TO-92 0.45max 0.7max 1 5.2 2.5 2 14.5 1.6 5.2 3 4.2 Pinouts: 1- Anode II, 2- Gate, 3- Anode I Ratings Symbol Parameter, units Limits IT(rms) DC forward anode current, mA 200 Igm DC gate current, mA 5 IT(sm) Peak recurrent forward current, A, (1% duty cycle, 10sec pulse width) 1 P Power dissipation, mW 300
2n4990.pdf

2N4990 Silicon unilateral switch (SUS) in package TO-92 0.45max 0.7max 1 5.2 2.5 2 14.5 1.6 5.2 3 4.2 Pinouts: 1- Cathode, 2- Gate, 3- Anode Ratings Symbol Parameter, units Limits Vrrm Peak reverse voltage, V -30 IT(rms) DC forward anode current, mA 175 Igm DC gate current, mA 5 IT(sm) Peak recurrent forward current, A, (1% duty cycle, 10sec pulse width)
Другие транзисторы... 2N498A , 2N499 , 2N4994 , 2N4995 , 2N4996 , 2N4997 , 2N4998 , 2N4999 , MPSA42 , 2N50 , 2N500 , 2N5000 , 2N5000SM , 2N5001 , 2N5001S , 2N5001SM , 2N5002 .
History: MUN5112DW1T1G | 2SA1263NR | 2N5606 | BC183K | 2SB1592 | ME0401 | BC183CP
History: MUN5112DW1T1G | 2SA1263NR | 2N5606 | BC183K | 2SB1592 | ME0401 | BC183CP



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent