NPS5130 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NPS5130

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для NPS5130

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NPS5130 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: NPS4890, NPS4916, NPS4917, NPS4964, NPS4965, NPS5127, NPS5128, NPS5129, 2N3055, NPS5131, NPS5132, NPS5133, NPS5134, NPS5135, NPS5136, NPS5137, NPS5138