NPS835 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NPS835

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для NPS835

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NPS835 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: NPS6076, NPS706, NPS706A, NPS708, NPS750, NPS751, NPS753, NPS834, TIP31, NPS901, NPS911, NPS918, NPS918R, NPS929, NPS929A, NPS930, NPS930A