Справочник транзисторов. 2N5027

 

Биполярный транзистор 2N5027 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N5027
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.32 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 120 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 2N5027

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5027 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:73K  central
 2n5022 2n5023.pdf pdf_icon

2N5027

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.2. Size:89K  interfet
 2n5020 2n5021.pdf pdf_icon

2N5027

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-18B-18 01/992N5020, 2N5021P-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Analog SwitchesReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 VContinuous Forward Gate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 500 mWPower Derating 4 mW/CStorage Temperature Range 65C to + 200CA

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top

 


 
.