Биполярный транзистор NSD129 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: NSD129
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 225 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 225 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO202
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам