NTE269. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTE269
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 13 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000
Корпус транзистора: TO202
Аналоги (замена) для NTE269
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
NTE269 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: NTE261, NTE262, NTE263, NTE264, NTE265, NTE266, NTE267, NTE268, S9014, NTE27, NTE270, NTE271, NTE272, NTE274, NTE275, NTE28, NTE302
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f