OC65N. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: OC65N
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.025 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 80 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO1
Аналоги (замена) для OC65N
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
OC65N даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: OC604SP, OC612, OC613, OC614, OC615, OC622, OC623, OC624, TIP2955, OC66N, OC70, OC700, OC700A, OC700B, OC701, OC702, OC702A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor
