Биполярный транзистор P215 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: P215
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
P215 Datasheet (PDF)
0.1. Size:86K sanyo
fp215.pdf
fp215.pdf
Ordering number:EN4698FP215PNP Epitaxial Planar Silicon Composite TransistorsHigh-Frequency Amp,Differential Amp ApplicationsFeatures Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in theunit:mmPCP package currently in use, improving the mount-2108Aing efficiency greatly.[FP215] The FP215 is formed with two chips, being equiva-lent to the 2SA1724,
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: CV12253L
History: CV12253L
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050