P215. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P215

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

 Аналоги (замена) для P215

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

P215 даташит

 ..1. Size:1054K  russia
 p213a p213b p214a p214b p214v p214g p215.pdf pdf_icon

P215

 0.1. Size:86K  sanyo
 fp215.pdf pdf_icon

P215

Ordering number EN4698 FP215 PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistors High-Frequency Amp, Differential Amp Applications Features Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in the unit mm PCP package currently in use, improving the mount- 2108A ing efficiency greatly. [FP215] The FP215 is formed with two chips, being equiva- lent to the 2SA1724,

Другие транзисторы: P210V, P213, P213A, P213B, P214A, P214B, P214G, P214V, 2222A, P216, P216A, P216B, P216D, P216G, P216V, P217, P217A