Справочник транзисторов. PMD12K60

 

Биполярный транзистор PMD12K60 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PMD12K60
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для PMD12K60

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PMD12K60 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:198K  inchange semiconductor
 pmd12k80.pdf pdf_icon

PMD12K60

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor PMD12K80 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 80V(Min) Complement to type PMD13K80 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and DC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UN

 8.2. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd12k100.pdf pdf_icon

PMD12K60

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor PMD12K100 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 100V(Min) Complement to type PMD13K100 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and DC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER VALUE

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: SUR540EF | MJE5170 | TIP645 | ASZ10 | MJE5851G | BC135

 

 
Back to Top

 


 
.