Биполярный транзистор PMD16K100 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PMD16K100
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для PMD16K100
PMD16K100 Datasheet (PDF)
pmd16k60 80 100.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PMD16K60/80/100 DESCRIPTION With TO-3 package High DC current gain DARLINGTON APPLICATIONS Designed for use in power switching application. PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYM
pmd1601k.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor PMD1601K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 60V(Min) Complement to type PMD1701K APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER VA
pmd1602k.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor PMD1602K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 80V(Min) Complement to type PMD1702K APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER VA
pmd1603k.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor PMD1603K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 100V(Min) Complement to type PMD1703K APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER V
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .