Справочник транзисторов. PMD1701K

 

Биполярный транзистор PMD1701K Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PMD1701K
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 700
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для PMD1701K

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PMD1701K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
 pmd1701k.pdf pdf_icon

PMD1701K

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD1701K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -60V(Min) Complement to type PMD1601K APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER V

 8.1. Size:200K  inchange semiconductor
 pmd1702k.pdf pdf_icon

PMD1701K

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD1702K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -80V(Min) Complement to type PMD1602K APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER V

 8.2. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd1703k.pdf pdf_icon

PMD1701K

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD1703K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -100V(Min) Complement to type PMD1603K APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER

 9.1. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd17k60.pdf pdf_icon

PMD1701K

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD17K60 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -60V(Min) Complement to type PMD16K60 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PMD1601K , PMD1602K , PMD1603K , PMD16K100 , PMD16K40 , PMD16K60 , PMD16K80 , PMD1700K , 2N2222 , PMD1702K , PMD1703K , PMD17K100 , PMD17K40 , PMD17K60 , PMD17K80 , PMD18K100 , PMD18K40 .

History: FJV4102R

 

 
Back to Top

 


 
.