PMD1701K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMD1701K  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 700

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для PMD1701K

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PMD1701K даташит

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
 pmd1701k.pdf pdf_icon

PMD1701K

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD1701K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -60V(Min) Complement to type PMD1601K APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAMETER V

 8.1. Size:200K  inchange semiconductor
 pmd1702k.pdf pdf_icon

PMD1701K

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD1702K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -80V(Min) Complement to type PMD1602K APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAMETER V

 8.2. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd1703k.pdf pdf_icon

PMD1701K

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD1703K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -100V(Min) Complement to type PMD1603K APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAMETER

 9.1. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd17k60.pdf pdf_icon

PMD1701K

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD17K60 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -60V(Min) Complement to type PMD16K60 APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAMETER

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PMD1601K, PMD1602K, PMD1603K, PMD16K100, PMD16K40, PMD16K60, PMD16K80, PMD1700K, C1815, PMD1702K, PMD1703K, PMD17K100, PMD17K40, PMD17K60, PMD17K80, PMD18K100, PMD18K40