Биполярный транзистор PMD1701K Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PMD1701K
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 700
Корпус транзистора: TO3
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PMD1701K Datasheet (PDF)
pmd1701k.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD1701K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -60V(Min) Complement to type PMD1601K APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER V
pmd1702k.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD1702K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -80V(Min) Complement to type PMD1602K APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER V
pmd1703k.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD1703K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -100V(Min) Complement to type PMD1603K APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER
pmd17k60.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD17K60 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -60V(Min) Complement to type PMD16K60 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2CY39 | 2N1163A | ME0401 | BC183K | 2SA1060 | BC183CP | 2N5606
History: 2CY39 | 2N1163A | ME0401 | BC183K | 2SA1060 | BC183CP | 2N5606



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306