Справочник транзисторов. PMD1701K

 

Биполярный транзистор PMD1701K Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PMD1701K
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 700
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PMD1701K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
pmd1701k.pdfpdf_icon

PMD1701K

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD1701K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -60V(Min) Complement to type PMD1601K APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER V

 8.1. Size:200K  inchange semiconductor
pmd1702k.pdfpdf_icon

PMD1701K

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD1702K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -80V(Min) Complement to type PMD1602K APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER V

 8.2. Size:199K  inchange semiconductor
pmd1703k.pdfpdf_icon

PMD1701K

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD1703K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -100V(Min) Complement to type PMD1603K APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER

 9.1. Size:199K  inchange semiconductor
pmd17k60.pdfpdf_icon

PMD1701K

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD17K60 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -60V(Min) Complement to type PMD16K60 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2CY39 | 2N1163A | ME0401 | BC183K | 2SA1060 | BC183CP | 2N5606

 

 
Back to Top

 


 
.