Справочник транзисторов. PMD17K60

 

Биполярный транзистор PMD17K60 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PMD17K60
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 800
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для PMD17K60

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PMD17K60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd17k60.pdf pdf_icon

PMD17K60

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD17K60 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -60V(Min) Complement to type PMD16K60 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER

 8.1. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd17k100.pdf pdf_icon

PMD17K60

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD17K100 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -100V(Min) Complement to type PMD16K100 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAME

 8.2. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd17k80.pdf pdf_icon

PMD17K60

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD17K80 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -80V(Min) Complement to type PMD16K80 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER

 9.1. Size:200K  inchange semiconductor
 pmd1702k.pdf pdf_icon

PMD17K60

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD1702K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -80V(Min) Complement to type PMD1602K APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PMD16K60 , PMD16K80 , PMD1700K , PMD1701K , PMD1702K , PMD1703K , PMD17K100 , PMD17K40 , 13007 , PMD17K80 , PMD18K100 , PMD18K40 , PMD18K60 , PMD18K80 , PMD19K100 , PMD19K200 , PMD19K40 .

 

 
Back to Top

 


 
.