PN3414. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PN3414

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для PN3414

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PN3414 даташит

 0.1. Size:919K  cn vbsemi
 spn3414s23rgb.pdf pdf_icon

PN3414

SPN3414S23RGB www.VBsemi.tw N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) Definition 0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 6a 100 % Rg Tested 20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.050 at VGS = 1.8 V 5.6 APPLICATIONS D

Другие транзисторы: PN3394, PN3395, PN3397, PN3398, PN3402, PN3403, PN3404, PN3405, A42, PN3415, PN3416, PN3417, PN3563, PN3564, PN3565, PN3566, PN3567