PN3563. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PN3563
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для PN3563
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PN3563 даташит
pn3563.pdf
PN3563 C TO-92 B E NPN RF Amplifier This device is designed for use as RF amplifiers, oscillators and multipliers with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range. Sourced from Process 43. See PN918 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VCBO Collector-Base Voltage 30 V VEB
pn3568.pdf
PN3568 NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose, medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 500mA. TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector Absolute Maximum Ratings* TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VCBO Collector-Base Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 5
pn3565.pdf
Discrete POWER & Signal Technologies PN3565 C TO-92 B E NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. See PN100 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V V
pn3567.pdf
PN3567 NPN General Purpose Amplifier This device is for use as a medium amplifier and switch requiring collector currents up 300mA. Sourced from process 19. TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector Absolute Maximum Ratings TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VCBO Collector-Base Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltag
Другие транзисторы: PN3402, PN3403, PN3404, PN3405, PN3414, PN3415, PN3416, PN3417, BD222, PN3564, PN3565, PN3566, PN3567, PN3568, PN3569, PN3638, PN3638A
History: BC847A | 2SC3670C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor








