Биполярный транзистор PN3566 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PN3566
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: TO92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PN3566 Datasheet (PDF)
pn3566.pdf

PN3566NPN General Purpose Amplifier This device is for use as a medium amplifier and switch requiring collector currents up 300mA. Sourced from process 19.TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVCBO Collector-Base Voltage 40 VVEBO Emitter-Base Voltag
pn3563.pdf

PN3563C TO-92BENPN RF AmplifierThis device is designed for use as RF amplifiers, oscillators andmultipliers with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range.Sourced from Process 43. See PN918 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 15 VVCBO Collector-Base Voltage 30 VVEB
pn3568.pdf

PN3568NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose, medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 500mA.TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings* TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 60 VVCBO Collector-Base Voltage 80 VVEBO Emitter-Base Voltage 5
pn3565.pdf

Discrete POWER & SignalTechnologiesPN3565C TO-92BENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VV
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 3DD13003V6D
History: 3DD13003V6D



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet