PN3640. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PN3640
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для PN3640
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PN3640 даташит
pn3640 mmbt3640.pdf
PN3640 MMBT3640 C E TO-92 C B B SOT-23 E Mark 2J PNP Switching Transistor This device is designed for very high speed saturated switching at collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. See PN4258 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 12 V VCBO Collector-Base Voltage
pn3643.pdf
PN3643 NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300mA. TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector Absolute Maximum Ratings* TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO Collector-Base Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 5.0 V I
pn3645.pdf
Discrete POWER & Signal Technologies PN3645 C TO-92 B E PNP General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from Process 63. See PN2907A for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units V Collector-Emitter Voltage 60 V CEO
pn3644.pdf
Discrete POWER & Signal Technologies PN3644 C TO-92 B E PNP General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from Process 63. See PN2907A for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units V Collector-Emitter Voltage 45 V CEO
Другие транзисторы: PN3565, PN3566, PN3567, PN3568, PN3569, PN3638, PN3638A, PN3639, 2N5401, PN3641, PN3642, PN3643, PN3644, PN3645, PN3646, PN3691, PN3692
History: 2SC4405 | 2SB772-GR
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273








